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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)I-V曲線，C-V曲線圖半導(dǎo)體器件特性分析

日期：2014-07-03瀏覽：3441次

上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)I-V曲線，C-V曲線圖半導(dǎo)體器件特性分析解決方案
上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)結(jié)合美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS成功推出了I-V曲線，C-V測(cè)線半導(dǎo)體器件特性分析解決方案。當(dāng)前對(duì)于實(shí)驗(yàn)室研究的所有半導(dǎo)體器件，zui常見(jiàn)的電特性分析方法是：
I-V曲線圖：電流與電壓 (I-V) 測(cè)試顯示了流過(guò)的直流電流和電子器件以及器件兩端直流電壓之間的關(guān)系。
C-V測(cè)線圖：電容與電壓 (C-V) 測(cè)試用于分析半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)，例如表面俘獲電荷密度、固定電荷和氧化層電荷。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類(lèi)型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)；氧化層電容測(cè)定；與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)

半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)室的核心是參數(shù)分析儀。簡(jiǎn)單易用的4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室級(jí)的直流和脈沖器件特性分析、實(shí)時(shí)繪制以及高精密和亞飛安分辨率的分析。4200-SCS 結(jié)合了 4200-CVU 的集成選件，現(xiàn)能讓半導(dǎo)體測(cè)試用戶(hù)靈活地創(chuàng)建集成了 DC、脈沖和 C-V 測(cè)試功能的方案。與傳統(tǒng)模擬曲線跟蹤軟件非常類(lèi)似，ACS 基礎(chǔ)版能快速產(chǎn)生電子器件或封裝產(chǎn)品的一系列曲線，而且能靈活、容易地對(duì)結(jié)果進(jìn)行保存、比較和關(guān)聯(lián)。

4200-SCS半導(dǎo)體特性分析特性：
測(cè)量時(shí)間短 – 安裝簡(jiǎn)單、直觀的測(cè)試選擇向?qū)Р⑶覂?nèi)建測(cè)試；
無(wú)需編寫(xiě)代碼 - ACS 具有直觀的 GUI 能快速簡(jiǎn)化 I-V 測(cè)試、分析和結(jié)果；
4200-SCS半導(dǎo)體優(yōu)化器件測(cè)試、驗(yàn)證和分析應(yīng)用；
硬件靈活性 – 動(dòng)態(tài)地加入或移除設(shè)備以滿足獨(dú)立測(cè)試的需要；
預(yù)裝應(yīng)用庫(kù) – 一組極豐富的超快、易于訪問(wèn)的測(cè)試庫(kù)；
模塊化的靈活軟件架構(gòu)便于擴(kuò)展系統(tǒng)并使系統(tǒng)應(yīng)用能滿足的測(cè)試需要；
免費(fèi)可選后臺(tái)軟件許可，能容易地在另一臺(tái)PC上開(kāi)發(fā)新的測(cè)試序列，無(wú)需掛起正在執(zhí)行工作的系統(tǒng)。